型号:

IRFH5004TR2PBF

RoHS:无铅 / 符合
制造商:International Rectifier描述:MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFH5004TR2PBF PDF
标准包装 1
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 28A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 2.6 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 110nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4490pF @ 20V
功率 - 最大 3.6W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-VQFN
供应商设备封装 PQFN(5x6)单芯片焊盘
包装 标准包装
产品目录页面 1524 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IRFH5004TR2PBFDKR
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